福晶科技获得发明专利授权：“一种消除晶体体发热的KGW晶体制备方法及得到的晶体”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示福晶科技（002222）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种消除晶体体发热的KGW晶体制备方法及得到的晶体”，专利申请号为CN202211298925.X，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：一种消除晶体体发热的KGW晶体制备方法及得到的晶体，所述方法为采用三氧化钨、氧化钆和碳酸钾为原料，按比例配制并充分研磨混合，梯度高温预烧后，制备晶体生长多晶料，将晶体生长多晶料加热熔化，再用搅拌器搅拌完全均匀，采用顶部籽晶熔体法晶体生长工艺，在熔体表面或熔体中进行晶体生长。用以上方法进行原材料预处理和晶体生长来达到了消除KGW晶体在应用中体发热的效应，极大提高了产品品质，稳定晶体器件的性能。

今年以来福晶科技新获得专利授权9个，较去年同期增加了200%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8717.38万元，同比增12.73%。

数据来源：天眼查APP

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