晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202410599813.0，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，一种半导体器件，包括：第一掺杂类型的半导体层；位于半导体层内部的体区和漂移区，体区具有第一掺杂类型，漂移区具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；位于体区中的第二掺杂类型的源区；位于漂移区中的第一浅沟槽结构和第二掺杂类型的漏区，第一浅沟槽结构在漏区靠近源区的一侧与漏区邻接；以及位于半导体层表面的栅结构，栅结构位于源区和漏区之间；其中，漂移区包括多个在水平方向排列的分区，多个分区之间相互分离，漏区位于多个分区中的至少一个分区，第一浅沟槽结构至少位于距离体区最近的分区中；远离体区的分区的宽度较小，靠近体区的分区宽度较大。

今年以来晶合集成新获得专利授权201个，较去年同期增加了63.41%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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