甬矽电子获得实用新型专利授权：“封装散热结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示甬矽电子（688362）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“封装散热结构”，专利申请号为CN202322758902.9，授权日为2024年7月5日。

专利摘要：本实用新型提供了一种封装散热结构，涉及芯片封装技术领域，该封装散热结构包括衬底、结构芯片和散热盖，结构芯片设置在衬底上，散热盖贴设在结构芯片远离衬底的一侧表面，其中，散热盖内形成有气流通道，散热盖远离结构芯片的一侧表面还设置有气流孔，气流孔与气流通道连通。在实际使用时，结构芯片产生的热量可以通过散热盖传递，并且可以通过气流通道和气流孔提升散热盖的散热效果，并且可以防止回流焊时散热盖高温熔化，避免散热盖与结构芯片的贴合处产生空洞而影响散热效果。相较于现有技术，本实用新型提供的封装散热结构，能够提升散热效果，并且能够防止散热片受热在贴合处产生空洞而影响散热。

今年以来甬矽电子新获得专利授权32个，较去年同期增加了3.23%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.45亿元，同比增19.23%。

数据来源：企查查

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