证券之星消息,根据企查查数据显示甬矽电子(688362)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“MEMS封装结构”,专利申请号为CN202323308894.4,授权日为2024年7月5日。
专利摘要:本实用新型提供的MEMS封装结构,涉及半导体封装技术领域,该MEMS封装结构包括基板、ASIC芯片、MEMS芯片和容纳盖,其中基板上设置有凸台,ASIC芯片贴设在基板上,并与凸台间隔设置;MEMS芯片贴设在凸台上,并与基板相间隔,且MEMS芯片底侧形成有音腔;容纳盖设置在基板上,并在内部形成有容纳腔,MEMS芯片和ASIC芯片容纳在容纳腔中,容纳盖上设置有进音孔,进音孔与容纳腔连通。相较于现有技术,本实用新型由于在基板上设置有凸台,以凸台作为MEMS芯片的贴装点位,能够抬升MEMS芯片的底部的音腔的容积,进而提升其底部声压空间,以提升MEMS芯片灵敏度和信噪比。
今年以来甬矽电子新获得专利授权32个,较去年同期增加了3.23%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了1.45亿元,同比增19.23%。
数据来源:企查查
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