晶合集成获得发明专利授权：“顶层金属的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“顶层金属的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202410010678.1，授权日为2024年4月30日。

专利摘要：本申请涉及一种顶层金属制备方法及半导体结构，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：提供基底，于基底上形成牺牲层，在牺牲层内形成用于限定顶层金属的凹槽；至少在凹槽的内表面形成第一金属阻挡层；至少于凹槽内形成顶面齐平于牺牲层的顶面的金属材料层；形成覆盖金属材料层、第一金属阻挡层及牺牲层的顶面的第二金属阻挡层；去除牺牲层，及干法刻蚀并去除位于牺牲层的顶面的第二金属阻挡层，剩余的第一金属阻挡层、金属材料层及剩余的第二金属阻挡层用于构成顶层金属。本申请实施例至少能够避免在制备顶层金属的过程中侵蚀顶层金属的侧表面。

今年以来晶合集成新获得专利授权113个，较去年同期增加了145.65%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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