晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410065702.1，授权日为2024年4月30日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：于衬底表面形成间隔分布的多个伪栅结构；伪栅结构包括：待置换栅电极、补偿层和隔离层，待置换栅电极和补偿层沿远离衬底的方向层叠，隔离层覆盖待置换栅电极侧壁及补偿层的侧壁和顶面；形成层间介质层，层间介质层覆盖隔离层并填充相邻伪栅结构之间间隔；研磨层间介质层及隔离层直至暴露出补偿层的顶面；研磨补偿层，暴露出待置换栅电极的顶面，并使得相邻伪栅结构之间间隔内层间介质层研磨后的表面与待置换栅电极的顶面平齐；将待置换栅电极替换为金属电极，以形成栅极结构。本申请利于提升器件性能及可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权113个，较去年同期增加了145.65%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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