晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制作方法以及半导体器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制作方法以及半导体器件”，专利申请号为CN202410134590.0，授权日为2024年4月26日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供基底，基底包括衬底以及衬底表面上间隔设置的多个栅极结构；然后，在栅极结构的远离衬底的部分表面上形成牺牲层，且在衬底的靠近栅极结构的部分表面上形成牺牲层；最后，在栅极结构以及衬底的裸露表面上形成阻挡层，并去除所有的牺牲层。通过在栅极结构的远离衬底的部分表面上形成牺牲层，保证了在部分栅极结构之间的衬底上没有阻挡层，避免了现有技术中部分栅极结构之间的衬底表面上的阻挡层漏电，从而导致半导体器件产生失效的问题，保证了半导体器件的失效概率较小，保证了半导体器件的鲁棒性较好，从而保证了半导体器件的性能较好。

今年以来晶合集成新获得专利授权108个，较去年同期增加了134.78%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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