晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构减薄方法及结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构减薄方法及结构”，专利申请号为CN202311677356.4，授权日为2024年4月5日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构减薄方法及结构，包括：提供承载晶圆及器件晶圆，器件晶圆包括掺杂衬底及位于掺杂衬底的正面的外延层及器件层，将器件层的顶面与承载晶圆的正面键合，然后沿垂直衬底方向去除器件晶圆中掺杂衬底的主体部分，得到残存掺杂衬底，其中，掺杂衬底的主体部分的厚度大于掺杂衬底的厚度的一半，在常温下经由残存掺杂衬底的顶面注入热辐射波，使得残存掺杂衬底的温度升高至目标温度，并使得器件晶圆的外延层保持常温，最后湿法刻蚀并去除残存掺杂衬底，提高了刻蚀选择比，简化了提高刻蚀选择比的方法，降低背照式半导体结构中刻蚀的经济成本的同时还可减少对环境的污染。

今年以来晶合集成新获得专利授权77个，较去年同期增加了102.63%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。