晶合集成获得发明专利授权：“沟槽的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽的制备方法”，专利申请号为CN202311658648.3，授权日为2024年4月5日。

专利摘要：本发明提供了一种沟槽的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有氧化铝层、氧化硅层和图形化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺，以图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀氧化硅层和氧化铝层，以形成贯穿氧化硅层和氧化铝层的开口，且开口的侧壁具有若干凸起，且在形成开口时同步刻蚀去除图形化的光刻胶层；执行第一修复工艺去除开口的侧壁的凸起以使开口的侧壁平滑；执行第二刻蚀工艺，以氧化硅层和氧化铝层为掩模沿开口向下刻蚀衬底，以在衬底中形成沟槽，且在形成沟槽时同步刻蚀去除氧化硅层；执行第二修复工艺以使沟槽的侧壁垂直；以及，去除氧化铝层。本发明提高了沟槽的侧壁垂直度，利于获取特征尺寸较精准的沟槽。

今年以来晶合集成新获得专利授权77个，较去年同期增加了102.63%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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