晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202311722568.X，授权日为2024年3月12日。

专利摘要：本发明提供了本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：半导体层；第一金属层，与半导体层电性连接；第二介电层，设置在第一金属层上；第一类型沟槽，设置在第二介电层上，第一类型沟槽在第一金属层上的正投影与第一金属层部分重合；预埋柱，设置在第一金属层上，预埋柱的一端穿过第二介电层与第一金属层连接，预埋柱的另一端穿过第一类型沟槽并伸出第一类型沟槽；以及硬掩膜层，设置在第二介电层上，硬掩膜层的顶面与预埋柱的顶面齐平，且硬掩膜层包括蚀刻窗口，蚀刻窗口与第一类型沟槽的槽口对应设置。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升集成电路的电学性能，并提升半导体制程良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权59个，较去年同期增加了103.45%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。