中微公司获得发明专利授权：“一种等离子体处理装置及半导体结构的形成方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种等离子体处理装置及半导体结构的形成方法”，专利申请号为CN202010689990.X，授权日为2024年3月12日。

专利摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔、第一气体源、第二气体源、第三气体源和抽气泵；反应腔内底部包括基座，基座用于承载待处理基片；第一气体源、第二气体源和第三气体源，分别通过第一通路、第二通路和第三通路与反应腔连接；抽气泵的第一端与第二通路连接，第二端与第三通路连接，用于隔离第二气体源与第三气体源中的气体。此发明解决了待处理基片在刻蚀过程中产生副产物的堆积，而影响刻蚀的非平坦的问题，通过设置多条刻蚀气体的通路，实现多条通路的频繁动态切换，实现了刻蚀处理过程中待处理基片的刻蚀平坦化。

今年以来中微公司新获得专利授权34个，较去年同期增加了21.43%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了2.92亿元，同比减3.77%。

数据来源：企查查

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