中国西电获得发明专利授权：“压接式IGBT结构及功率组件”

证券之星消息，根据企查查数据显示中国西电（601179）新获得一项发明专利授权，专利名为“压接式IGBT结构及功率组件”，专利申请号为CN202311529446.9，授权日为2024年3月8日。

专利摘要：本发明属于一种IGBT结构，针对现有IGBT需要增加通流能力时，采用多个IGBT并联的方式，导致一致性筛选成本增加，多物理场耦合复杂性增大，可靠性难以保障，以及过压击穿后保持长期短路和降低器件自身热阻能力不足的技术问题，提供压接式IGBT结构及功率组件，包括基板散热板和两个IGBT单元，两个IGBT单元对称安装于基板散热板的两侧，IGBT单元包括多个IGBT模组，芯片为IGBT芯片或二极管芯片，IGBT芯片的发射极连接于基板散热板上，门极并联，集电极位于上表面且并联，二极管芯片的阳极连接于基板散热板上，阴极位于上表面且并联。

今年以来中国西电新获得专利授权41个，较去年同期减少了6.82%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了2.81亿元，同比增7.87%。

数据来源：企查查

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