捷捷微电获得发明专利授权：“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法”，专利申请号为CN202311456948.3，授权日为2024年3月8日。

专利摘要：本发明提出了一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法，其通过把门极和阳极设计在同一侧，阴极设计在另一侧，使得阴极和底板可以焊接在一起，提高了散热效果和产品的di/dt值，并且使用时多只可控硅可共用同一个散热片，增加了终端厂家的应用空间，所述芯片包括从上至下设置的磷区N、硼铝区P、磷区N，所述硼铝区P内部设置有单晶材料区N，其特征在于：所述芯片的门极和阳极设置在上表面，阴极设置在下表面，在所述门极和阳极同一侧的硼铝区P上制有深度超过PN结深度的台面沟槽钝化层，所述门极设置在沟槽外侧，所述阳极设置在沟槽内侧。

今年以来捷捷微电新获得专利授权9个，较去年同期增加了800%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.22亿元，同比增48.2%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。