晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202311421839.8，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底；栅介质层，设置在衬底上；栅极，设置在栅介质层上，栅极包括第一栅极结构和第二栅极结构，第二栅极结构设置在栅介质层上，第一栅极结构设置在第二栅极结构上，且第二栅极结构的宽度大于第一栅极结构的宽度；第一侧墙结构，设置在第一栅极结构的两侧，且位于第二栅极结构上；第二侧墙结构，设置在第一侧墙和第二栅极结构的侧壁上；漏极，设置在侧墙结构一侧的衬底内；源极，设置在侧墙结构另一侧的衬底内；轻掺杂区，只设置在栅极靠近源极一侧的衬底内。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，能够改善半导体器件的性能，并降低生产成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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