晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制作方法”，专利申请号为CN202311402092.1，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有凸出的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成侧墙结构，所述侧墙结构最外层为氮化层；对所述衬底进行蒸汽退火处理，在所述侧墙结构上形成富羟基层；在所述衬底、所述侧墙结构和所述栅极结构上形成连续的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层靠近所述栅极结构顶部的一侧形成有悬突部；在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层；在所述介质层内形成多个互连结构。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。