广立微获得发明专利授权：“用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法”，专利申请号为CN202311657070.X，授权日为2024年2月23日。

专利摘要：本发明公开了用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，包括以下步骤：步骤一：获取版图信息，找出所有目标栅极图形，定义为gate层；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层；步骤二：在版图中提取对边间距位于第一指定区间的一对平行边，所述平行边的一条边属于gate层，另一条边属于target层；沿所述目标栅极图形的各侧方向分别找到包含对应各侧侧边的平行边；步骤三：获取包含对应各侧侧边的平行边的对边间距，对应各侧分别取该侧平行边中对边间距的最小值；即获得目标栅极与图形集群的位置关系。本发明属于集成电路技术领域，可以提高栅极相对于指定图形集群位置关系的评估速度，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。

今年以来广立微新获得专利授权3个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了9313.46万元，同比增98.72%。

数据来源：企查查

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