晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202311508497.3，授权日为2024年1月30日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供衬底；于衬底中分别形成屏蔽沟槽和目标沟槽；屏蔽沟槽的宽度大于目标沟槽的宽度；形成填充屏蔽沟槽和目标沟槽并覆盖衬底表面的功能材料层；位于屏蔽沟槽之上的功能材料层中对应具有第一凹槽；形成填充第一凹槽的牺牲层；对牺牲层以及功能材料层执行第一型刻蚀，以去除牺牲层并使得功能材料层保留于屏蔽沟槽之上的部分与其保留于目标沟槽之上的部分形成高度差；其中，第一型刻蚀对功能材料层的刻蚀速率大于第一型刻蚀对牺牲层的刻蚀速率。本申请所提供的方法通过对制备工艺的优化，可以有效简化工艺步骤以及降低制备难度，并且可以进一步降低制备成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权11个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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