甬矽电子获得发明专利授权：“扇出型封装结构及其制作方法和电子设备”

证券之星消息，根据企查查数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“扇出型封装结构及其制作方法和电子设备”，专利申请号为CN202311376963.7，授权日为2024年1月23日。

专利摘要：本申请公开了一种扇出型封装结构及其制作方法和电子设备，涉及半导体技术领域。该制作方法包括在衬底上3D打印成型腔体结构，腔体结构在朝向衬底的一侧和背离衬底的一侧均分别设置有第一凹槽和第二凹槽；在第二凹槽内贴装芯片，芯片具有管脚的一侧朝向第二凹槽的开口；在腔体结构上铺设重新布线层；在重新布线层上植球；将腔体结构与衬底分离。采用3D打印技术能够制作出双面凹槽的腔体结构，第二凹槽用于容纳、定位芯片，使得芯片不容易偏移。双面凹槽的腔体结构在厚度方向上具有较高的对称性，因此在其成型后不容易因应力分布不均的问题而出现翘曲问题。本申请提供的制作方法能够提高产品的良率。

今年以来甬矽电子新获得专利授权3个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了6160.24万元，同比增2.31%。

数据来源：企查查

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