晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202311039103.4，授权日为2023年11月28日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上形成多个有源区器件，相邻两个所述有源区器件之间的所述衬底的部分结构形成隔离器件；以及栅极结构，形成于所述隔离器件上，所述栅极结构包括偏移间隔层与栅极层，所述偏移间隔层形成于所述隔离器件上，所述偏移间隔层上形成有栅极槽，所述栅极层形成于所述栅极槽中。通过本发明公开的一种半导体结构及其制备方法，能够对栅极层进行防护。

今年以来晶合集成新获得专利授权229个，较去年同期增加了90.83%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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