晶合集成新获得发明专利授权：“半导体测试结构及其测试方法、半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体测试结构及其测试方法、半导体结构”，专利申请号为CN202310937629.8，授权日为2023年12月5日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体测试结构及其测试方法、半导体结构，涉及半导体技术领域。所述半导体测试结构包括设置于衬底上的至少一个测试晶体管。测试晶体管包括栅极结构、源极结构和漏极结构。其中，栅极结构沿第一方向延伸。源极结构和漏极结构在衬底上的正投影分别位于栅极结构的两侧，且源极结构包括沿第一方向排布成行且间隔设置的多个测试源极，漏极结构包括沿第一方向排布成行且间隔设置的多个测试漏极。测试源极和测试漏极一一对应。上述半导体测试结构可以精确定位漏电位置，进而及时改善相应工艺。

今年以来晶合集成新获得专利授权222个，较去年同期增加了85%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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