电子行业周报：2024年碳化硅衬底市场遇冷但长期需求乐观，台积电加码2/3nm先进制程

（以下内容从上海证券《电子行业周报：2024年碳化硅衬底市场遇冷但长期需求乐观，台积电加码2/3nm先进制程》研报附件原文摘录）
核心观点
市场行情回顾
过去一周（05.12-05.16），SW电子指数下跌0.75%，板块整体跑输沪深300指数1.86个百分点，从六大子板块来看，消费电子、光学光电子、元件、其他电子Ⅱ、半导体、电子化学品Ⅱ涨跌幅分别为1.12%、0.26%、0.19%、-1.49%、-1.69%、-1.79%。
核心观点
SiC衬底市场2024年营收年减9%，但长期需求乐观。5月12日，根据TrendForce集邦咨询最新研究显示，受2024年汽车和工业需求走弱，SiC衬底出货量成长放缓，与此同时市场竞争加剧、产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC衬底产业营收年减9%，为10.4亿美元。从主要厂商的市占情况来看，Wolfspeed仍维持第一名，2024年市占率达33.7%。尽管近年面临较大的运营挑战，Wolfspeed仍是SiC材料市场最重要的供应商，并引领产业向8英寸衬底转型。中国厂天科合达和天岳先进近年发展迅速，2024年二者市占率相差无几，分别以17.3%和17.1%位列第二、三名。从衬底尺寸观察，由于现行主流的6英寸SiC衬底价格快速下降，以及8英寸SiC前段制程的技术难度较高，加上市场环境剧烈变化，预计6英寸衬底将持续占据SiC衬底市场的主导地位。但8英寸衬底是进一步降低SiC成本的必然选择，且有助SiC芯片技术升级，吸引各大厂商积极投入。在此情况下，TrendForce集邦咨询预估8英寸SiC衬底的出货份额将于2030年突破20%。
关税引致新一轮备货潮，三星或将调涨DRAM芯片价格。5月13日，据韩国媒体ETNews报道，受到美国关税战掀起客户提前备货潮的带动，三星电子因客户需求高涨，决定顺势调涨DRAM芯片的价格。报道称，三星已经在跟客户签订的新合约中大幅调涨DDR5、DDR4DRAM报价。其中，DDR4的涨价幅度为20%、DDR5则涨价5%，但会因客户不同而略有差异。2024年DRAM产业供给过剩，导致DRAM均价普遍下跌。根据部分机构统计，2024年下半年DRAM均价大跌约21%。但是随着消费电子市场需求的逐渐回暖，以及AI对于DRAM需求的持续增长，推动了DRAM价格今年开始回升。叠加4月以来美国关税政策引发的骨牌效应，推动了相关企业抢在关税生效前提前备货，让三星产品需求大增，促使该公司调涨价格。
台积电2025年将新建9座工厂，3nm产能将增加60%。5月15日，据台媒《经济日报》报道，台积电院士、营运/先进技术暨光罩工程副总经理张宗生于5月15日在台积电技术论坛中国台湾专场上提到，台积电2025年将在中国台湾与海外扩建9个厂，其中包含8个晶圆厂以及1个先进封装厂。张宗生指出，2025年3nm产能预计年增加60%，2025年下半年将开始量产2nm。CoWoS持续扩充，海外美国厂与日本厂加入量产良率和台湾母厂相近。张宗生还提到，AI驱动晶圆需求持续放大，台积电产能也在持续扩张。预计今年台积电在中国台湾与海外扩建9个厂，包含八座晶圆厂以及一座先进封装厂。台积电过去平均每年盖5个厂，中国台湾方面台中Fab25厂预计2028年量产2nm与更先进技术，高雄预计建五座晶圆厂包含A16与更先进制程技术。
投资建议
维持电子行业“增持”评级，我们认为电子半导体2025年或正在迎来全面复苏，产业竞争格局有望加速出清修复，产业盈利周期和相关公司利润有望持续复苏。我们当前建议关注：半导体设计领域部分超跌且具备真实业绩和较低PE/PEG的个股，AIOT SoC芯片建议关注中科蓝讯和炬芯科技；模拟芯片建议关注美芯晟和南芯科技；建议关注驱动芯片领域峰岹科技和新相微；半导体关键材料聚焦国产替代逻辑，建议关注电子材料平台型龙头企业彤程新材、鼎龙股份等；碳化硅产业链建议关注天岳先进。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、终端需求不及预期、国产替代不及预期。