(以下内容从东吴证券《半导体行业点评报告:三星与长江存储合作,关注先进封装&先进制程设备》研报附件原文摘录)
投资要点
三星与长江存储就新的先进封装技术“混合键合”等达成合作。三星已确认从V10(第10代)开始,将使用中国NAND制造商YMTC的专利技术,特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。YMTC是最早将混合键合应用于3D NAND的企业,因此在相关技术上拥有强大的专利积累。三星电子选择通过与YMTC达成许可协议,而不是冒险规避专利,来化解未来可能出现的风险。
混合键合技术难度较大,海外设备占主导。混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W,3D NAND使用W2W,省去了传统芯片连接中所需的凸点(Bump),使得电路路径变得更短,从而提高性能和散热特性,设备供应商主要为奥地利EVG、德国SUSS、荷兰BESI等公司,根据BESI中性假设推测,2030年混合键合设备需求总量预计达1400台,累计市场规模预计突破28亿欧元,约200亿人民币左右,这一增长主要由AI算力需求驱动。
国内拓荆科技、迈为股份等均布局混合键合设备。(1)拓荆科技布局了两款晶圆对晶圆键合产品(Dione300)和芯片对晶圆键合表面预处理产品(Pollux)。(2)迈为股份已推出混合键合设备,对位精度<100nm,除此以外还推出了临时键合、激光解键合等设备。
投资建议:(1)后道先进封装:拓荆科技(混合键合)、迈为股份(混合键合、临时键合、解键合)、晶盛机电(减薄机)、华海清科(减薄机)、盛美上海(电镀机)、芯源微(涂胶显影+临时键合+解键合)、德龙激光(切片机)、大族激光(切片机)。(2)前道先进制程:北方华创、中微公司、微导纳米、中科飞测、精测电子等。(3)后道封测:华峰测控、长川科技。
风险提示:下游扩产速度不及预期,设备国产化进程不及预期。
