美光科技FY24Q2业绩点评：第二财季营收超预期，HBM3E开始量产

（以下内容从信达证券《美光科技FY24Q2业绩点评：第二财季营收超预期，HBM3E开始量产》研报附件原文摘录）
事件：当地时间3月20日，美光发布FY24Q2财报，实现营业收入58.2亿美元（彭博一致预期53.5亿美元），环比+23.2%，同比+57.7%；毛利率（Non-GAAP）为20.0%（彭博一致预期13.6%），环比+19.2pct，同比+51.4pct；净利润（Non-GAAP）为4.8亿美元，环比同比大幅扭亏；摊薄EPS（Non-GAAP）0.42美元（彭博一致预期-0.24美元），环比增加1.37美元，同比增加2.33美元。
FY24Q3业绩指引：公司预计实现营收64~68亿美元，中值66亿美元；公司预计毛利率25%~28%，中值26.5%；公司预计摊薄EPS（Non-GAAP）0.38~0.52美元，中值0.45美元。
分产品看：DRAM营收42亿美元，占比71%，环比+21%，bit出货量环比增加低个位数百分比，ASP环比增长16%~19%；NAND营收16亿美元，占比27%，环比+27%，bit出货量环比增加低个位数百分比，ASP环比增长超30%。
行业展望：预计2024年DRAM/NAND行业供不应求。公司预计2024年DRAM需求增长接近长期CAGR，NAND增长约15%。公司预计FY24供给小于需求，库存减少，DRAM和NAND产能将比FY22峰值低两位数百分比。HBM3E的晶圆消耗约为DDR5的3倍，且公司预计HBM4的份额将高于HBM3E。
资本开支：公司预计24财年CAPEX在75~80亿美金，维持此前指引不变，略高于23财年。公司预计24财年WFE支出同比下降，在中国、印度和日本的项目继续推进。
HBM3E开始贡献收入，2024年HBM产能已售罄。从终端市场来看：（1）数据中心：HBM3E已量产，并在FQ2确认第一笔收入，将搭载到H200上，公司预计FY24有望收入数亿美金，从FQ3开始HBM将推动DRAM的收入和毛利率增长。公司2024年产能已经售罄，2025年大部分产能分配完，公司预计2025年HBM份额与DRAM份额一致。公司本月初送样12HiHBM3E产品，容量36GB，预计2025年提高产量。128GBModules完成验证，256GBMRDIMM开始送样，数据中心SSD收入占比创纪录。（2）PC：公司预计2024年出货量增速为中低个位数，下一代AIPC不断增长并在25年渗透率显著提升。（3）手机：公司预计2024年出货量增速为中低个位数，AI手机中DRAM容量提升50%~100%，第二代1βLP5x正送样。
（4）汽车：保持强劲增长，L2+ADAS提升单车存储容量。（5）工业：经销商库存、订单和需求能见度有所改善。
建议关注：（1）模组：江波龙/德明利/佰维存储/朗科科技等；（2）HBM：香农芯创/通富微电/赛腾股份/雅克科技等；（3）DDR5：澜起科技/聚辰股份；（4）设计：兆易创新/东芯股份/普冉股份/北京君正等。
风险因素：下游需求恢复不及预期；国内厂商技术突破不及预期；AIPC、AI手机推出进展不及预期。