半导体行业专题研究：存储市场复苏强劲，HBM/DDR5/CXL增添动能

（以下内容从信达证券《半导体行业专题研究：存储市场复苏强劲，HBM/DDR5/CXL增添动能》研报附件原文摘录）
本期内容提要:
2024年存储市场复苏，量价具备提升动能。根据WSTS预测，2024年存储芯片市场同比将增长44.8%，增幅居于半导体细分领域之首。量的维度：单机容量提升显著，AI服务器、AI PC和AI手机对存储需求扩大。存储芯片的需求量增长体现在设备出货增长和单机容量提升两个方面，我们认为，2024年智能手机、服务器和PC出货量均有个位数百分比提升，而单机容量提升或将成为存储市场比特出货的主要驱动。价的维度：2024年存储价格有望逐季增长。DRAM和NANDFlash合约价格分别从4Q23和3Q23起涨，根据TrendForce预测，在需求恢复驱动下，DRAM和NAND Flash四个季度价格或持续增长。涨价效应持续显现，存储模组厂Q1有望淡季不淡。随着DRAM/NAND Flash合约价继续上扬，客户备货意愿提升。从中国台湾模组厂商1月营收数据看，威刚环比+13%/同比+64%，创见环比+16%/同比+37%，宜鼎环比+11%/同比+10%，广颖环比+12%/同比+20%，反映价格上涨、客户补货意愿较强。尽管一季度是消费电子传统淡季，模组厂仍具备量价提升动能，有望淡季不淡。
HBM和DDR5需求旺盛，利基存储或间接受益。我们通过梳理三大原厂（三星、SK海力士、美光）最新法说会的展望，原厂对于2024年存储市场复苏有着一致的预期，但在传统存储产品的投产上仍然保持谨慎，而将投资和产能主要转向HBM和DDR5的生产。我们认为这反映了（1）HBM和DDR5盈利性更强，原厂更愿意通过高附加值产品来快速增长业绩；（2）来自AI的需求，尤其是AI服务器的需求仍然强劲，HBM和DDR5的渗透率有望快速提升；（3）当前产能未能满足客户需求，1beta制程良率仍在提升。在HBM和DDR5成为原厂投资首要选择下，利基型存储供给有望保持紧缩，伴随需求的逐步恢复，供需情况有望加速转好。
CXL解锁内存性能潜力，2025年有望起量。CXL（ComputeExpress Link）是一种互联技术标准，由英特尔在2019年推出，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，从而满足高性能异构计算的要求，并且其维护CPU内存空间和连接设备内存之间的一致性，其优势体现在较高兼容性和内存一致性两方面。当前正处于CXL早期部署阶段，2025年渗透率有望加速，产业链或优先受惠。当前主流服务器CPU可支持CXL1.1协议，2023年5月三星推出首款CXL2.0的128GB DRAM，并表示于2024年量产。在AI服务器对数据存储性能和效率愈加提高的挑战下，CXL部署提供了短期和长期解决方案，有望逐渐被云服务器厂商采纳。根据Yole Intelligence预测，预计到2028年，CXL市场总收入将增长到150亿美元以上。
投资建议：（1）2024年存储市场复苏势头强劲，全年具备量价提升动能，存储模组厂商有望充分受益于涨价周期，建议关注：江波龙、佰维存储、德明利。（2）HBM和DDR5成为原厂投资首要选择下，利基型存储供给有望保持紧缩，伴随需求的逐步恢复，供需情况有望加速转好，建议关注：兆易创新、东芯股份、普冉股份。（3）DDR5加速渗透，原厂预计年中渗透率超过50%，内存接口及其配套芯片或持续受益，同时CXL有望在2025年起量，产业链或优先受惠，建议关注：澜起科技、聚辰股份。
风险因素：下游需求恢复不及预期风险；新品开发进度不及预期风险；中美贸易摩擦加剧风险。