电子行业周报:3D NAND产能逐步释放,手机芯片市场竞争激烈

3D NAND产能逐步释放,2020年中国有望赶上国际:三星电子本周宣布,位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利,将如期于2017 上半年投产。据三星表示,新芯片厂主要用于生产高容量3D NAND闪存,新厂第一阶段施工目前已完成九成。由于2D NAND Flash在技术推进上已遇发展瓶颈,上游原厂全力调拨产能转进3DNAND。东芝上个月宣布BiCS FLASH 3D闪存试样出货,SK海力士于近日透露正在积极推进72层3D NAND技术的发展,美光第二代3D NAND也于去年底顺利送样。一直以来,NAND闪存芯片被三星、东芝、SK海力士、美光等少数公司垄断,中国公司在此领域话语权较弱。去年,紫光公司主导的长江存储科技公司投资240亿美元建设12寸晶圆厂,直接切入3D NAND闪存市场。长江存储3D NAND晶圆厂的安装设备将在2018年第一季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术方面赶上国际领先的闪存公司。

高通骁龙835亚洲首亮相,手机芯片市场竞争激烈:高通近日在北京举行了骁龙835芯片的亚洲首场发布会。骁龙835是高通首次采用10纳米FinFET工艺节点的产品,其体积更小,封装尺寸减少35%左右;功耗更低,降低了25%;而在能效方面更为出色,CPU和GPU性能提升25%至27%。值得注意的是,骁龙835的命名由“处理器”变更为“平台”,集成了LTE、CPU、GPU、DSP等技术和组件,支持千兆级LTE网络,覆盖了笔记本电脑、智能手机、平板电脑、VR等多重应用领域。除骁龙835以外,2017年先后还会有4颗10纳米制程的芯片问世,分别是联发科Helio X30、海思的Kirin 970、苹果用于iPad的A10X、以及三星的Exynos 8895。此外,展讯去年推出的14纳米八核64位LTE芯片平台SC9861G-IA,瞄准中端市场,小米也推出28nm澎湃S1芯片,主要针对入门级智能手机市场。根据Strategy Analytics数据显示,高通2014年市占率为52%,2016上半年已降至39%。

上周电子板块表现回顾:本周大盘微幅上行,沪深300指数上涨1.27%。其中,申万电子指数上涨2.47%,跑赢沪深300指数1.20个百分点;中信电子元器件指数上涨2.81%,跑赢沪深300指数1.54个百分点。

一周行业重点回顾:深度报告*鸿利智汇*LED量价齐升,车联网雏形初现*强烈推荐;年报点评*华东科技*平板项目营收增长,转型初现成效*推荐;事项点评*鸿利智汇*完成员工持股,长期价值凸显*强烈推荐。

投资组合表现:17年年初以来投资组合累计投资盈利3.57%,跑输沪深300指数1.85个百分点,跑输申万电子元器件指数4.59个百分点,跑输中信电子元器件指数5.85个百分点。

风险提示:技术风险,行业竞争加剧风险,企业新业务开拓风险。