穿越周期 宏微科技第三代半导体构筑新增长级

（原标题：穿越周期 宏微科技第三代半导体构筑新增长级）

在全球功率半导体行业深度调整的2024年，宏微科技(688711)受新能源汽车产业链价格传导、行业库存调整等复杂因素影响，短期业绩承压，但公司通过持续的技术突破与市场开拓，已为新一轮增长周期积蓄势能。

在行业下行周期中，宏微科技以高强度研发投入构筑技术护城河。2024年公司研发费用1.1亿元，占营业收入比重达8.24%。公司在碳化硅领域实现关键突破：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证；自主研发的SiC SBD芯片通过多家终端客户系统级验证并实现小批量出货；车规级1200V SiC自研模块对应的银烧结工艺已通过可靠性验证；光伏用SiC混合封装模块斩获全球头部逆变器厂商订单。

此外，该公司创新构建的“预研—中试—量产”三级技术孵化机制，依托控股设立的上海宏微爱赛研发中心，整合长三角科研资源，聚焦第三代半导体材料与高压大电流产品开发，将有效支撑公司产品矩阵的持续迭代。目前，公司累计获得发明专利133项，其中发明专利43项，实用新型专利83项，外观设计专利7项，为后续产品矩阵扩张奠定基础。

面向2025年，宏微科技确立“技术+市场”双轮驱动战略。纵向深挖技术红利，突破高温封装材料、芯片贴装等关键技术瓶颈，打造从衬底到模组的垂直整合能力；横向拓宽应用边界，在巩固新能源汽车主战场的同时，重点布局数据中心电源、机器人等前沿领域，形成“车规级打品牌、工控级保利润、特种应用拓增量”的产品组合。

当前市场布局呈现“内外并进”态势，国内市场深化与新能源车企、逆变器厂商的协同创新，海外市场突破高端工业客户供应链，功率模块在欧洲储能市场的导入进度超预期。

业内人士指出，随着800V高压平台普及和风光储需求放量，功率半导体行业技术替代窗口正在打开。宏微科技在第三代半导体领域的前瞻布局，若能顺利实现技术转化与产能释放，有望在2025年行业复苏周期中抢占先机。