富满电子:关于对外投资的补充公告

来源:巨灵信息 2020-09-29 00:00:00
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    证券代码:300671 证券简称:富满电子 公告编号:2020-053
    
    深圳市富满电子集团股份有限公司
    
    关于对外投资的补充公告
    
    本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整,没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
    
    2020年9月28日,深圳市富满电子集团股份有限公司(以下简称“本公司”或“公司”)与杭州灵芯微电子有限公司(以下简称“灵芯微电子”)在深圳签署了《合作投资与经营5G项目协议》,共同出资3,000万元人民币设立上海赢矽微电子有限公司(以下简称“项目公司或标的公司”,具体名称以市场监督管理局核准为准)。其中,本公司出资2,100万元人民币,占注册资本的70%;灵芯微电子以知识产权作价出资900万元,占注册资本的30%。关于本次对外投资公司补充公告如下:
    
    一、公司关于5G相关情况介绍
    
    公司于2018年开始5G相关芯片产品研发,并于2019年2月12日获得深圳市科技创新委员会技术攻关项目“重20180167 5G终端的高效率、高线性射频前端芯片关键技术研发”无偿资助450万元人民币,批复文号为:深科技创新〔2019〕33号及深科技创新计字〔2018〕13049号,2019年3月18日与深圳市科技创新委员会签订了《深圳市科技计划项目合同书(无偿资助)》。
    
    2018年07月,公司第一款SPDT开关FM1630研发成功,截止目前公司已研发出5G相关芯片产品16款,并于2019年11月1日和2019年11月8日分别获得集成电路布图登记证书FM1630和FM3418。
    
    二、交易对手方介绍
    
    1、交易对方基本情况
    
    企业名称:杭州灵芯微电子有限公司
    
    法定代表人:陈磊
    
    统一社会信用代码:91330101MA2CFL6P3X
    
    企业类型:有限责任公司(自然人投资或控股)
    
    注册资本:1000万人民币
    
    成立日期:2018年11月20日
    
    注册地:浙江省杭州经济技术开发区6号大街260号19幢1405室
    
    经营范围:技术开发、技术服务、技术咨询、成果转让:电子产品、信息
    
    技术、计算机软硬件、电子元器件、家用电器、集成电路、机电设备;批发、零
    
    售:传感器及变送器、集成电路、电子元器件、计算机软硬件;货物或技术进出
    
    口(国家禁止或涉及行政审批的货物和技术进出口除外)(依法须经批准的项目,
    
    经相关部门批准后方可开展经营活动)
    
    杭州灵芯微电子有限公司的控股股东、实际控制人为陈磊,股权结构如下:序号 股东 股东类型 认缴出资金额(万元) 出资比例(%)
    
       1        陈磊         自然人股东             600.00              60.00
       2       马和良        自然人股东             300.00              30.00
       3       刘文俊        自然人股东             100.00              10.00
                     合计:                         1000.00             100.00
    
    
    2、交易对手简介
    
    灵芯微电子主营业务为集成电路的研发,设计,生产及销售。公司创始团队在射频前端领域合计拥有数十年的研发经验,拥有业界领先的泛硅基射频集成技术及Sub 6GHz技术,产品包括全系列射频SW/ASW/SWAP/Apeture Tuner,业界性价比最高的PAM/FEM,泛在物联网IoT前端产品等。
    
    灵芯微在2019年已经通过ISO9001质量体系认证。
    
    3、交易对手法人/CTO简介
    
    陈磊,微电子学与固体电子学博士,现任杭州灵芯微电子有限公司总经理、CTO。
    
    曾在中国科学院上海高等研究院及国际知名射频芯片原厂工作,负责并参与完成过国家核高基重大专项,上海市科委等十余项科研项目,总项目经费超过5000万元。已发表SCI/EI检索论文十余篇,均为第一作者。申请发明专利40余项,个人已授权专利十余项。
    
    10年射频/模拟集成电路从业经验。在射频及模拟电路设计,产品开发和测试验证方面具有深厚的经验,同时具备运营和市场产品规划经验。
    
    成功带领多条产品线完成量产,包括各种射频功放,开关,功率模组等,产品应用领域包括手机通讯及网络通讯。
    
    多年的绝缘体上硅SOI射频电路设计经验,成功带领团队完成了应用于手机通讯/网络通讯的SP2T~SP16T SOI开关设计,并完成了数亿颗的出货。
    
    在SiGe BiCMOS工艺(0.18um/0.35um)及RF CMOS工艺上(0.18um/0.13um/90nm)带领团队成功量产经验,并在GaAs HBT/pHEMT的几乎所有平台上完成产品设计。
    
    学术生涯里程碑:
    
    国内首篇以SiGe BiCMOS功放芯片作为主题的博士论文:Ph.D
    
    Thesis”Key issues study on SiGe BiCMOS Power Amplifier design in
    
    Multi-mode Multi-band Front-end Modules” 2011 。
    
    产业生涯里程碑:
    
    国内首颗SiGe BiCMOS WiFi FEM产品定义(2016)
    
    国内首颗SP16T开关( (IEEE MWCL, May 2014 )
    
    国内首颗802.11ac PA量产(2013)
    
    国内首条全系列WiFi PA/SW产品线(2011-2012)
    
    国内首条SiGe BiCMOS商用产线共同创立者(2009-2011)
    
    日本IEICE电子情报通信学会会员
    
    IEICE Electronics Society审稿人
    
    IEEE Microwave and wireless Component Letter审稿人
    
    个人授权专利(芯片相关)序号 专利名称 专利号 授权国别或组织
    
       1     一种绝缘体振上荡硅器工艺环形ZL201010122454.8             中国
       2     一种的基C于MO绝S缘射体频上开硅关工艺ZL200910197850.4             中国
       3    一种Si类Ge功B率iC放MO大S器全差分EZL200910197849.1             中国
       4     Bi一CM种OS0宽.8带-2低.1噪GH声z放Si大Ge器ZL201010272606.2             中国
       5    一种5.类5G功Hz率Si放G大eB器iCMOSAB    ZL201010276619.7             中国
       6     一氧种化锗物化半硅导双体极上-变互频补混金频属ZL201010281785.6             中国
                       器
       7     一金种属射氧频化绝物半缘导体上体硅低互噪声补ZL201010530879.2             中国
                     放大器
       8     一种构改射进频型正双交吉上尔混伯频特器结ZL201028531784.1             中国
       9     可编程CMOS器信号输出缓冲   ZL200810037361.8             中国
       10       可编程增益放大器        ZL200810034629.2             中国
    
    
    4、公司核心股东简介
    
    马和良 硕士研究生学历,2009年毕业于华东师范大学微电子专业,研究方向为无线通讯中射频集成电路芯片设计。毕业后先后就职于上海镭芯微电子有限公司和上海华虹集成电路有限责任公司,担任射频设计工程师、资深射频模拟设计工程师以及项目经理。参与过国家核高基重大专项项目、上海市科委基金项目、上海市战略性新兴产业发展专项、物联网发展专项资金项目等,积累了大项目研发经验。同时参与了公司十余款量产芯片的研发,累计销售芯片超3亿颗,具有丰富的芯片量产经验。
    
    刘文俊 硕士研究生学历,毕业于华中科技大学微电子专业。2007至2012年任职于炬力集成电路设计有限公司,担任模拟电路设计工程师职位。2015年至今担任深圳市云矽半导体有限公司总经理。先后负责多媒体处理器SOC内部电源模组的设计,PMU芯片的设计。参与研究开发了多款大规模数模混合芯片,累计量产数十亿颗。主要涉及领域:PMU、BUCK、BOOST、LDO、GPIO、OSC等。
    
    二、备查文件
    
    1、《深圳市科技计划项目合同书(无偿资助)》。
    
    2、集成电路布图登记证书FM1630和FM3418。
    
    特此公告。
    
    深圳市富满电子集团股份有限公司
    
    董事会
    
    2020年9月29日

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