碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料取得三大核心技术突破：首创热化学与超高温“双步一炉”超高纯石墨提纯技术，将石墨基体纯度提升至99.99995%（6N5）以上；研发出高均匀高致密TaC涂层工艺，涂层产品使用寿命突破600小时；带动SiC单晶生产良率从55%提升至70%；创制了多场耦合精准控制化学气相沉积装备，实现了高均匀TaC涂层石墨件批量稳定制备，成本较进口产品降低30%。都供应哪些企业

答楚江新材：2026-10-12 08:28:59

尊敬的投资者，您好！公司在碳化硅半导体配套领域的高纯石墨提纯、TaC 涂层制备及相关热工装备技术成果，目前已于多家长晶、外延领域的企业验证应用中。感谢您的关注！