德邦科技在2023年8月7日回复称,HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠,每一层dram之间通过bump焊接到一起,bump非常脆弱,需要用underfill填充保护,起到应力平衡的作用。公司芯片级underfill已有型号通过国内部分客户验证,整体上仍处于前期验证导入阶段。请问属实吗？

答德邦科技：2026-06-26 18:07:00

尊敬的投资者，您好！您提到相关内容为公司于2023年8月7日在投资者互动平台作出的回复，具体说明如下： 1. 技术原理层面：HBM是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，多层DRAM之间通过bump焊接，空隙处需使用底部填充胶（Underfill）进行填充保护，以起到应力平衡的作用。 2. 产品进展说明：公司芯片级底部填充胶（Underfill）在此前回复时处于前期验证导入阶段，随着业务的持续推进，目前该产品已在部分客户小批量的应用，主要用于FC-BGA封装，现阶段该业务占公司整体收入比例依然很低，对整体业绩影响较小。截至目前上述产品暂未应用于HBM，未来能否应用仍取决于产品性能匹配度及客户供应链选择等多种因素尚具有不确定性，公司将继续拓展该产品的应用范围。感谢您的关注，谢谢！