我国450公里太空400v高压碳化硅功率器材首次验证成功，贵司有机会使用此技术吗

答振华科技：2025-02-13 17:33:24

您好，公司大力发展以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体，目前公司碳化硅器件有碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，产品覆盖600V～1700V等十余款型号。同时公司也在大力发展航天用抗辐射功率器件，低压领域采用硅基技术路线，已形成系列化产品；高压领域正在开展硅基超结MOS及氮化镓HEMT研制工作。感谢您对公司的关注，请注意投资风险。