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半导体行业第二批科创板半导体公司深度点评:中微安集榜上有名,奏响半导体科创强音

来源:国海证券 作者:王凌涛 2019-04-03 00:00:00
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半导体设备及半导体材料既是半导体产业价值链的顶端,又是我国半导体产业最为落后的领域。整个半导体生态系统由IC设计、IC制造、IC封测、下游应用以及各环节的支撑产业共同构成。其中半导体设备与材料则是晶圆制造的重要支撑。近年来,以华为海思、中芯国际、长电科技为代表的中国半导体设计、制造和封测方阵正加速追赶国际先进水平并取得卓著成效,然而我国半导体设备与材料行业与国际先进水平依然存在着数年甚至十余年的差距。常言道“浮沙之上,勿筑高台”,由此可知,没有设备和材料的国产化,芯片制造就是无本之木,无源之水。2018年晋华事件则是因为国产半导体设备和材料的缺位导致百亿规模的晶圆厂顷刻间处于休克状态。所以我们认为,在科创板设立之初,中微半导体与安集微电子的登陆凸显出我国大力支持半导体设备和材料行业的决心。

中微公司:如果说光刻机为半导体行业的屠龙刀,那么刻蚀机则可誉为倚天剑,中微公司十年磨剑,其等离子刻蚀设备代表了我国半导体设备的最高水准。半导体制程过程中,硅晶圆需经历光刻、刻蚀、沉积、退火、氧化、检测、清洗、CMP等多重工艺。从技术难度和价值含量两个维度衡量,刻蚀机由于涉及等离子体、射频及微波、材料学等多学尖端技术,其核心程度仅次于排在首位的光刻机,市场份额常年以来被美国泛林半导体及应用材料等公司垄断。曾就职于英特尔、泛林、应用材料等业界巨头的尹志尧博士,凭借其35年的半导体从业经验,回国创办中微公司,有效填补国内空缺,经过十余年潜心研发,公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户的65 纳米、14 纳米、7 纳米和5 纳米工艺线。此外,由于中微公司等离子刻蚀技术在某些领域几乎可以匹敌美国竞争对手,美国商务部在2015 年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。

MOCVD设备快速成长,从跟随者到引领者。2010 年中微公司开始开发用于LED 器件加工中最关键的设备--MOCVD 设备,彼时该市场份额几乎全部被美国VEECO和德国AIXTRON公司垄断。公司通过持续的研发投入和积极的市场开拓,业已占据国内LED市场的重要份额。与VEECO等海外竞争对手相比,中微公司MOCVD具有生产效率高且MO源用量少的优势,有效帮助LED外延芯片企业的成本降低,推动了绿色照明的快速普及。目前中微半导体的MOCVD已成为主流LED外延芯片企业的购置首选,公司从最初的跟随角色华丽转变为如今的行业领跑者。

安集微电子:半导体材料国产替代,CMP抛光液一马当先。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polish)是一种高端集成电路和MEMS平坦化过程中的核心工艺。该工艺广泛运用于在多层布线、精细光刻机条件下的晶圆加工。为了满足在深亚微米半导体工艺中晶圆表面平整度纳米级、粗糙度埃米级的要求,以及全局范围内高平整、低粗糙度、低缺陷密度和高洁净度的要求,CMP是无法回避的技术路径。抛光液作为CMP工艺过程中的核心原材料,其理化性质直接决定芯片制作的良率,是高端集成电路无可或缺的关键材料。由于CMP抛光液具有技术门槛高、认证周期长且与下游晶圆厂深度绑定的特征,目前全球主要市场被巴斯夫、Cabot及陶氏化学所垄断。安集微电子作为国内集成电路级别抛光液领域率先出货的企业,其产品已在130-28nm实现规模销售,主要应用于国内8英寸和12英寸主流晶圆厂,14nm产品已进入客户认证阶段,且正在研发10-7nm技术节点抛光液产品。

光刻胶去除剂快速成长。公司光刻胶去除剂是另一种广泛应用于高端集成电路的湿化学品,主要作用为去除光刻、刻蚀工艺之后的光刻胶,在各道工艺过程中可起到承前启后的作用。与CMP抛光液生产类似,光刻胶去除剂也是一种配方型混配工艺,其关键技术在于溶液各组分调配比例,两块业务研发生产具有一定的技术协同,公司2016-2018年光刻胶去除剂分别实现营业收入1941.78、2300.92、4205.34万元,呈现快速增长的态势。 行业评级及投资策略。中微半导体与安集微电子同属集成电路前段制造的核心设备和原材料,无论从技术实力还是客户结构来说都是国产半导体产业链中的佼佼者,在某种程度上代表了我国半导体设备和材料的最高水准,两家公司联袂登陆科创板将会给资本市场电子行业带来更多的源头活水和优质资产。长期来看,更多类似于中微和安集的高端半导体企业有望陆续推出,这将进一步提升半导体板块的价值含量和估值中枢,维持行业推荐评级。

风险提示:1)市场超预期下跌造成的系统性风险;2)我国半导体产业发展不及预期;3)报告中科创板公司与对标上市公司并不具完全可比性,相关资料仅供参考;4)公司募投项目实施进度的不确定性。





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